Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Benhaliliba M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Benhaliliba M. 
Characterization of Coated Fe-doped Zinc Oxide Nanostructures [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba, Y. S. Ocak, A. Tab // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(1). - С. 03001-1-03001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(1)__3
The nanostructures of iron-doped zinc oxide (FZO) produced by a simple and low cost dip-coating route onto a glass substrate were studied. The structural, morphological, electrical and optical properties of FZO films were investigated. Nanochains were revealed by SEM analysis at high magnification. A (002)-oriented wurzite structure with a lattice parameter of <$Ealpha ~=~3,24 roman A back 45 up 35 symbol Р> and <$Ec~=~5,19~roman A back 45 up 35 symbol Р> - was confirmed by X-rays diffraction. High transmittance was exhibited in the visible spectrum, T (550 nm) >> 83 %. Finally, electrical measurements revealed a resistivity and mobility of <$E10~roman k OMEGA ~cdot~roman cm>, and 5 cm<^>2 / Vs respectively.
Попередній перегляд:   Завантажити - 396.934 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Benhaliliba M. 
Effect of Metal on Characteristics of MPc Organic Diodes [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba, Y.S. Ocak, C.E. Benouis // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04009-1-04009-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_11
The fabrication and electrical characterization of metal phthalocyanine MPc organic diodes have been investigated. The Au / MPc / Si Schottky diodes are fabricated via a spin coating route. Based on the electrical measurement of the current versus bias voltage in dark conditions we extract the parameters such as ideality factor, saturation current, series resistance and rectifying factor. Role of metal M = Cu, Al, Zn, Mg on the electronic parameters is emphasized. The obtained values of n, 1,85, 2,22 and 4,40, show a non-ideal behavior. Using a derivate dV / dlnI and H(I) functions, we determine the ideality factor and series resistance and found to be 2 and <$E17~OMEGA> for the CuPc device.
Попередній перегляд:   Завантажити - 439.873 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Benhaliliba M. 
AC Impedance Analysis of the Al / ZnO / p-Si / Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba, Y. S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kilicoglu // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02001-1-02001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_3
In this research, we report on the measurement of the capacitance-voltage (C-V) characteristics Al/ZnO/p-Si/Al Schottky diode at room temperature and in dark condition fabricated by spray pyrolysis process. C-V characteristics, within the range of frequencies 50 kHz - 5 MHz, are investigated and microelectronic parameters are extracted. Donor density and diffusion potential vary with frequency from 15 to 28 1014 cm-3, 0,21 to 0,45 V. Besides, the interface state density of Al/ZnO/pSi/Al Schottky is determined and found to be 1012 (eV x cm2)-1. Calculated at 1 MHz, the interfacial layer thickness and depletion layer width are of 760 Å and 0,28 mu M.
Попередній перегляд:   Завантажити - 413.858 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Benhaliliba M. 
Extracted Electronic Parameters of a Novel Ag / SnO2 : In / Si / Au Schottky Diode for Solar Cell Application [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02029-1-02029-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_31
Попередній перегляд:   Завантажити - 354.142 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Benhaliliba M. 
An Experimental Insight Into the ZnO Thin Films Properties Prepared by Dip Coating Technique [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba, Y. S. Ocak // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01040-1-01040-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_42
The physical properties of the pure and metal doped ZnO films are investigated using a low cost dip coating technique. The films have grown slowly onto a glass substrate at room temperature. Based on X-ray pattern parameters are extracted such as gram size, lattice parameters. Optical measurements within the UV-Vis band give us the transmittance of films (> 80 %) and optical band gap. Using the Hall Effect measurement (HMS) in room temperature, we determine the bulk density of charge earners, mobility and their electrical resistivity.
Попередній перегляд:   Завантажити - 529.518 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Benhaliliba M. 
AFM Calculated Parameters of Morphoogy Investigation of Spin Coated MZO (M = Al, Sn, Cd, Co) Layers [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba, A. Tiburcio-Silver, A. Avila-Carcia // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04012-1-04012-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_14
This paper reports on the deposition and surface properties of the pure and doped zinc oxide layers produced by spin coating route. Pure and metallic (Al, Sn, Cd, Co) doped ZnO films are characterized by mean of atomic force microscopy (AFM). Based on atomic force microscope observation, some parameters such as grain size, height, orientation of angle and histogram are determined. The AFM scanned 2D and 3D-views permit us to discover the roughness, the average height and the skewness of clusters or grains.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.278 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського